X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜被引量：3

X-ray Analysis of GaN Film Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

下载PDF

导出

摘要氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.

作者周劲杨志坚唐英杰张国义

机构地区北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室

出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期79-82,共4页 Chinese Journal of Luminescence

基金国家自然科学基金资助项目(69876002)

关键词 GAN 氢化物汽相外延 X射线分析

分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献5

1[1]Jain S C, Willander M, Narayan J, et al. Ⅲ-nitrides: Growth, characterization, and properties [J]. J. Appl. Phys.,2000, 87:965-1006.
2[2]Lisa Sugiura. Dislocation motion in GaN light-emitting devices and its effect on device lifetime [J]. J. Appl. Phys.,1997, 81:1633-1638.
3[3]Ayers J E. The measurement of threading dislocation densities in semiconductor crystals by X-ray diffraction [J]. J.Cryst. Growth, 1994, 135:71-77.
4[4]Heinke H, Kirchner V, Einfeldt S, et al. X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN [J]. Appl.Phys. Lett., 2000, 77:2145-2147.
5[5]Hong S K, Yao T, Kim B J, et al. Origin of hexagonal-shaped etch pits formed in (0001) GaN film [J]. Appl. Phys.Lett., 2000, 77:82-84.

同被引文献24

1Min Lu, Zilan Li, Zhijian Yang, Zonghui Li, Bei Zhang, Guoyi Zhang Research Center for Wide-Band Semiconductor materials, Peking University, Beijing 100871 P.R.China.The Characteristic of Threading Dislocation in Different Structures GaN Films Grown by MOCVD[J].光学学报,2003,23(S1):861-862. 被引量：1
2陆敏,杨志坚,潘尧波,陆羽,陈志忠,张国义.量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响[J].稀有金属,2007,31(z1):33-35. 被引量：4
3周小伟,郝跃,张春福,张进城.不同厚度未掺杂GaN薄膜的特性分析[J].电子器件,2005,28(2):262-264. 被引量：1
4LU Dian-qing LI Xin-hua LIU Xue-dong.Growth Front Evolution of GaN Thin Films on Sapphire Substrate During HVPE[J].Semiconductor Photonics and Technology,2005,11(4):221-224. 被引量：1
5吕军,侯新生.新型电致冷半导体探测器的应用[J].物探与化探,2006,30(4):374-376. 被引量：5
6程海英,方文卿,莫春兰,刘和初,王立,江风益.δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究[J].光学学报,2006,26(8):1269-1273. 被引量：4
7Dadgar A,Blasing J,Diex A,et al.Metalorganic chemical vapor phase epitaxy of crack-free GaN on Si(111) exceeding lmm in thickness.Jpn J Appl Phys,2000,39:L1183
8Ishikawa H,Zhao G Y,Nakada N,et al.GaN on Si substrate with AlGaN/AlN intermediate layer.Jpn J Appl Phys,1999,38:L492
9Lu Yuan,Liu Xianglin,Lu Dacheng,et al.Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer.J Cryst Growth,2002,236:79
10Lee K J,Shin E H,Lin K Y.Reduction of dislocations in GaN epilayers grown on Si(111) substrate using Six Ny inserting layer.Appl Phys Lett,2004,85 (9):1504

引证文献3

1李翠云,朱华,莫春兰,江风益.Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构[J].Journal of Semiconductors,2006,27(11):1950-1954. 被引量：1
2李慧,李培咸,史会芳,赵广才.表面粗化提高绿光LED的光提取效率[J].电子科技,2010,23(6):25-28. 被引量：7
3陆敏,于国浩,张国光.GaN核辐射探测器材料与器件研究进展[J].原子能科学技术,2010,44(6):750-756. 被引量：5

二级引证文献13

1朱华,李翠云,莫春兰,江风益,张萌.Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究[J].Journal of Semiconductors,2008,29(3):539-543. 被引量：1
2付凯,于国浩,陆敏.GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究[J].原子能科学技术,2010,44(B09):449-452. 被引量：2
3姚昌胜,付凯,王果,陆敏.GaN基光导型X射线探测器的光淬灭研究[J].核电子学与探测技术,2011,31(5):562-564.
4钟广明,杜晓晴,田健.GaN基倒装焊LED芯片的光提取效率模拟与分析[J].发光学报,2011,32(8):773-778. 被引量：9
5郭银景,李瑾,丁晓明.Design of Remote Control Nuclear Radiation Detector[J].Journal of Measurement Science and Instrumentation,2011,2(4):390-393. 被引量：1
6孙鲁,陈凯.半导体照明产品显色性能检测标准研究[J].现代电子技术,2012,35(2):145-147.
7白继锋,高欣,薄报学,黄尊祥,陈凯轩,马祥柱.湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率[J].半导体光电,2012,33(2):188-190. 被引量：3
8董向坤,杜晓晴,钟广明,唐杰灵,陈伟民.GaN基倒装焊LED芯片的热学特性模拟与分析[J].光电子技术,2012,32(2):113-118. 被引量：2
9李川川,关宝璐,郝聪霞,郭霞.电流主动导引结构倒装AlGaInP LED[J].光学学报,2012,32(7):242-245. 被引量：2
10李文强,杨裔剑侠,杨录,侯磊.高计数率α、β粒子辐射检测方法研究与实现[J].仪器仪表学报,2013,34(2):311-318. 被引量：6

1张永刚,江霞.MOVPE中常用氢化物的毒性及其防护[J].上海半导体,1993(4):31-37.
2陈洪建,张维连,陈贵峰,李养贤.氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究[J].稀有金属,2007,31(S2):87-90.
3吴长树,张光华,宋炳文,张景韶.开管汽相外延法生长碲镉汞晶膜[J].红外技术,1991,13(6):15-17. 被引量：1
4张涛,李莉.焊点图像和缺陷的X射线分析[J].印制电路信息,2000(3):45-48. 被引量：1
5陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义.多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J].Journal of Semiconductors,2004,25(5):526-529. 被引量：9
6朱武,干蜀毅.ESEM的特点及其X射线分析[J].真空电子技术,2000,13(6):21-23. 被引量：1
7亢勇.Ⅲ族氮化物材料[J].红外,2002,23(11):1-5.
8Pengcheng Jia.Broadband Power Amplifiers for Unified Base Stations[J].ZTE Communications,2011,9(2):8-11.
9王群,高东海,郭红霞,李永卿,袁岩兴.非晶态电磁屏蔽材料的制备与性能[J].安全与电磁兼容,2006(1):74-76. 被引量：10
10凌秀兰,赵元安,李大伟,周明,邵建达,范正修.Effect of Vacuum on the Laser-Induced Damage of Anti-Reflection Coatings[J].Chinese Physics Letters,2009,26(7):126-129. 被引量：1

发光学报

2001年第z1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜被引量：3

参考文献5

同被引文献24

引证文献3

二级引证文献13

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜 被引量：3

参考文献5

同被引文献24

引证文献3

二级引证文献13

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜被引量：3