高抗ESD瞬态电压抑制器的研究

瞬态电压抑制器是一种用来保护芯片的分立器件,它能有效避免芯片受到高能瞬态脉冲的损坏。目前,静电损伤已经成为造成电子设备损坏的一个主要因素,为了能更好更有效地保护芯片,需要瞬态电压抑制器将高能脉冲钳位在一个对其本身和芯片都没有损伤的电位下,同时尽快将电流通过瞬态电压抑制器自身泄放掉。本文通过结构设计的改进,对一种常用的平面结构单向瞬态电压抑制器的反向三极管进行优化,通过TLP测试,并结合Tsuprem4、Medici的模拟和理论分析显示,这种改进方法使得瞬态电压抑制器具有了更强的抗静电放电的能力,从而可以更好地保护电子设备。