用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系被引量：1

导出

摘要本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用于测量n型硅MOS电容器中的Si-SiO_2界面态.结果表明其电子俘获截面强烈地依赖于温度和能量.

作者陈开茅武兰青许惠英刘鸿飞

机构地区北京大学物理系北京有色金属研究总院

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1993年第2期144-152,共9页 Science in China(Series A)

基金国家自然科学基金

关键词界面态硅氧化硅电子俘获截面

分类号 O472 [理学—半导体物理]

引文网络
相关文献

同被引文献8

1陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞.Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布[J].Journal of Semiconductors,1994,15(5):295-303. 被引量：3
2陈开茅，中国科学.A，1993年，23卷，2期，144页
3黄君凯，暨南大学学报，1991年，12卷，3期，32页
4Liu Jinyun，Proc ICMPC，1988年，292页
5J Appl Phys，1974年，45卷，7期，3023页
6黄君凯,刘涛.MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究[J].Journal of Semiconductors,1991,12(12):728-736. 被引量：5
7刘毓耿,易清明,刘竞云.MNOS电容的辐照吸收特性[J].Journal of Semiconductors,1995,16(5):376-379. 被引量：1
8黄君凯,刘涛.MNOS结构保留特性的研究[J].暨南大学学报（自然科学与医学版）,1991,12(3):32-37. 被引量：3

引证文献1

1黄君凯,易清明,刘涛.用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱[J].暨南大学学报（自然科学与医学版）,1999,20(5):17-23. 被引量：1

二级引证文献1

1黄君凯,易清明,刘伟平,钟雨乐,张坤.SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析[J].固体电子学研究与进展,2003,23(2):236-240.

1李从岩,牛文学,来建民.质子和α粒子与类氢离子碰撞中电子俘获截面的计算[J].安阳师专学报,1999(2):10-12.
2况余让,关汉清.质子和α粒子与类氢离子碰撞中电子俘获截面的联合原子模型计算[J].原子与分子物理学报,1992,9(2):2287-2294.
3张现周,李从岩,周效信,孙金锋,万陵德.中高能α粒子与类氦离子和Li原子碰撞中电子俘获截面的计算[J].原子与分子物理学报,1997,14(3):412-416. 被引量：1
4周效信,张现周,陈宏善,董晨钟.质子与He^+,Li^(++)高能碰撞过程中电子俘获截面的理论计算[J].物理学报,1997,46(6):1096-1102. 被引量：2
5张现周,李从岩,周效信,孙金锋,万陵德.中高能H^+和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的计算[J].河南师范大学学报（自然科学版）,1997,25(3):26-29.
6马淑红,张现周,周效信.中低能区α粒子与Li原子碰撞中电子俘获总截面的计算[J].原子与分子物理学报,1999,16(2):249-252. 被引量：2
7王学容,刘玲,王建国.Electron Capture Process in Collisions of Proton with Excited State of Helium[J].Chinese Physics Letters,2010,27(12):61-64.
8张现周,刘玉芳,周效信.H^+与He原子碰撞中电子俘获截面的BIB方法计算[J].原子与分子物理学报,1997,14(2):213-215.
9闫冰,马洪良.7.5—30keVC^＋,N^＋,O^＋与H2分子碰撞的单电子俘获截面测量[J].原子与分子物理学报,1997,14(2):267-271. 被引量：1
10Guo Dalong Ma Xinwen Zhang Shaofeng Zhu Xiaolong Feng Wentian Zhang Ruitian Li Bin Liu Huiping Yan Shuncheng Zhang Pengju.4 - 9 Single-electron Capture in p-He Collisions at Intermediate Energies[J].IMP & HIRFL Annual Report,2012(1):208-208.

中国科学（A辑）

1993年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系被引量：1

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系 被引量：1

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

用新方法测量Si-SiO_2界面态电子俘获截面与温度及能量的关系被引量：1