期刊文献+

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质 被引量:3

下载PDF
导出
摘要 用变分法分别计算了GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱和多量子阱在纵向(垂直于异质结界面的方向)外电场作用下激子的基态能级,讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。
机构地区 兰州大学物理系
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期232-236,共5页 Semiconductor Optoelectronics
  • 引文网络
  • 相关文献

同被引文献9

引证文献3

二级引证文献3

;
使用帮助 返回顶部