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GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化 被引量:1

Injected Carrier-induced Band-Gap Change in GaAs/GaAlAs Double Heterostructure Waveguide Optical Switch
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摘要 本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化.给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线,并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析. Abstract The injected carrier-induced band-gap change in GaAs/GaAlAs double heterostructure waveguide optical switch has been studied. The curves between the band-gap change values and injected carrier concentrations are shown. The experimental results is compared with the computed results by using the band-filling theory and band-gap shrinkage theory.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期455-459,共5页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献3

  • 1张之翔,光的偏振,1985年
  • 2赵凯华,光学,1984年
  • 3杨葭荪,光学原理,1978年

同被引文献4

引证文献1

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