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IGBT的优化设计问题综述
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摘要
本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发,对IGBT自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述,其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速度的一些技术,对几个关键参数之间的折衷问题也进行了一定程度的讨论。
作者
欧榕津
王朝英
机构地区
南开大学电子科学系
出处
《半导体杂志》
1994年第2期30-36,共7页
关键词
IGBT
结构
优化设计
双极晶体管
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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