摘要
介绍了一种我国首创的新型电力半导体器件BSIT的基本结构和特性;讨论了BSIT的驱动问题;给出了它在直流变换系统中的一种应用电路.实验表明,BSIT具有其它同容量半导体器件所不具备的优良特性.
The paper describes the essential configuration and characteristics of a novel power semiconductor device BSIT, discusses the drive of BSIT, and gives BSIT DC converter circuit. Experiment showsthat BSIT has excellent performances over other semiconductor device.
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1994年第1期50-54,共5页
Power Electronics