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新型电力半导体器件BSIT的基本特性及部分应用 被引量:1

The Basic Characteristics and Applications of a Novel Power Semiconductor Device BSIT
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摘要 介绍了一种我国首创的新型电力半导体器件BSIT的基本结构和特性;讨论了BSIT的驱动问题;给出了它在直流变换系统中的一种应用电路.实验表明,BSIT具有其它同容量半导体器件所不具备的优良特性. The paper describes the essential configuration and characteristics of a novel power semiconductor device BSIT, discusses the drive of BSIT, and gives BSIT DC converter circuit. Experiment showsthat BSIT has excellent performances over other semiconductor device.
机构地区 华北电力学院
出处 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第1期50-54,共5页 Power Electronics
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  • 相关文献

参考文献1

  • 1[法]让·玛里·皮特等 著,丁学文.功率晶体管和开关二极管的应用技巧[M]纺织工业出版社,1991.

同被引文献10

  • 1张玉明.1998.博士学位论文.西安:西安电子科技大学.
  • 2Matsunami H 2006 Microelectron Engineering 83 2.
  • 3杨银堂 耿振海 段宁兴 贾护军 余涔 任丽丽.物理学报,2010,59:0566-0566.
  • 4张林 张义门 张玉明 韩超 马永吉.物理学报,2009,58:288-288.
  • 5Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Akin Takatsuka, Kazuo Arai, Tsutomu Yatsuo, Koji Yano, Masanobu Kasuga 2006 IEEE Electron Device Letters 27 908.
  • 6Li Yuzhu, Alexandrov Petre, Zhao Jian H 2008 IEEE Transactions on Electron Devices, 55 1880.
  • 7Veliadis V, Snook M, McNutt T, Hearne H, Potyraj P, Lelis Aivars, Scozzie C 2008 IEEE Electron Device Letters 29 1325.
  • 8Veliadis V, McNutt T, Snook M, Hearne H, Potyraj P, Scozzie C 2008 IEEE Electron Device Letters 29 1132.
  • 9http ://www. semisouth. com/products/products. html.
  • 10Henning J P, Przadka A, Melloeh M R, Cooper J A 2000 IEEE Electron Device Letters 21 578.

引证文献1

二级引证文献3

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