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注入锁定半导体激光器的相位调制特性研究
被引量:
2
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摘要
本文研究了在考虑载流子变化引起折射率变化的情况下,注入锁定半导体激光器(LD)的相位调制(PM);并提出了在PM时,对伪强度调制(SIM)的抑制.
作者
李林林
机构地区
郑州大学电子系
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第10期577-581,共5页
Chinese Journal of Lasers
关键词
相位调制
注入锁定
半导体激光器
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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二级参考文献
0
参考文献
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0
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2
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参考文献
3
1
李林林,电子学报,1987年,15卷,4期,62页
2
李林林,中国激光,1987年,14卷,9期,529页
3
杨恩泽,光纤数字通信接收机,1984年
同被引文献
2
1
李林林,J lightwave Technol,1992年,10卷,4期,477页
2
Li L,Lightwave Technol,1992年,10卷,4期,477页
引证文献
2
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中国激光
1989年 第10期
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