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化学气相浸渗反应器内气体流场的数值模拟 被引量:5

Numerical simulation of gas flow field in chemical vapor infiltration reactor
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摘要 控制化学气相浸渗(CVI)反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一,通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件,采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数值计算结果表明,喷嘴形状及其与衬底相对位置对流场形貌有显著影响。采用π/6的斜口喷嘴,并使其中心轴线与通过它和圆柱形衬底交点切线的夹角为π/6时,反应器内基本消除了回流。 In order to deposit ideal matrix, it is one of the key technologies to control the flow field of reaction gases in the chemical vapor infiltration(CVI) reactor. Based on establishing four differential equations about conversations of mass, momentum, energy and chemical reaction, their boundary conditions, the complex and invisible flow field phenomena in CVI reactor chamber were investigated by numerical simulation using the finite element method. The results show that the effect of the nozzle shape and the location between the nozzle and the substrate on flow field is in evidence. The flow circumfluence in the CVI reactor is eliminated on condition that the inclination between the axes of the nozzle and the tangent of the cylinder substrate is equal to π/6, and with a bevel nozzle.
出处 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期761-765,共5页 Journal of Central South University:Science and Technology
基金 国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA305207)
关键词 有限元 气体流场 化学气相沉积 反应器 数值模拟 finite element method gas flow field chemical vapor deposition reactor numericalsimulation
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参考文献4

二级参考文献11

  • 1贝尔J.多孔介质流体动力学[M].北京:中国建筑工业出版社,1983..
  • 2Delle W 史小罗(译).热解碳[M].兰州:兰州碳素厂研究所,1983.37-39.
  • 3Eckerfova L 王广阳等(译).薄膜物理学[M].北京:科学出版社,1986.91-94.
  • 4浙江大学等四校.硅酸盐物理化学[M].北京:中国建筑工业出版社,1980.317-319.
  • 5米尔恩-汤姆森L M.理论流体力学[M].北京:机械工业出版社,1984.710-765.
  • 6肖鹏.CSCVI法制备C/SiC的过程特征及其模拟[M].西安:西北工业大学,2000..
  • 7俞景禄 魏季和.冶金中的传热传质现象[M].北京:冶金工业出版社,1998.93-111.
  • 8STEETER V L WYLIE E B.流体力学[M].北京:高等教育出版社,1988.131-180.
  • 9Wang C A,J Cryst Growth,1986年,77卷,136页
  • 10孟广耀,化学气相淀积与无机新材料,1984年,25页

共引文献25

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引证文献5

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