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Si/Ge异质结构的生长与特性 被引量:2

Growth and Characterization of Si/Ge Heterostructure
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摘要 近年来,由Ge,Si这两种晶格失配(4.2%)材料组成的Ge/Si异质结构与Ge/Si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长Ge/Si异质结构和超薄Ge/Si超晶格以及GexSi1-x/Si超晶格。化学汽相淀积技术(CVD)与MBE相比,除了设备简单、价格便宜外,对于Ge,Si外延来说,还便于与现有的硅大规模集成工艺技术相结合,使之更富有实用性。近期已有报道用CVD技术生长GexSi1-x/Si异质结构。 In this paper we report, for the first time, the Si/Ge strained-layer heterostruc-ture grown by a new'Rapid Lamp Heating, Very-Low-Pressure Chemical Vapor Deposition' method. High quality Si epitaxial layers on Ge(111) substrate were obtained at the substrate temperature of 650℃. The structure properties of Si/Ge heterostruc-ture have been investigated by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, high resolution transmission electron microscopy, Auger electron spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy.
机构地区 南京大学物理系
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期353-355,共3页 Research & Progress of SSE
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