期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
光纤通讯用长寿命GaAs-AlGaAs双异质结激光器的研制
下载PDF
职称材料
导出
摘要
报导了光纤通讯用长寿命GaAs-AlGaAs双异质结激光器研制中的关键工艺,通过这些改进措施使得激光器获得了长寿命,为激光器的实用作出了贡献。
作者
廖先炳
机构地区
四机部一四四四所
出处
《四川激光》
1981年第A02期122-123,共2页
Laser Journal
关键词
双异质结激光器
光纤通讯
长寿命
关键工艺
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
郭占明.
GaAs-AlGaAs双异质结激光器的实用化封装[J]
.四川激光,1981,2(A02):123-123.
2
莫金玑,倪杰.
AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究[J]
.科技通讯(上海),1994,8(3):14-17.
3
陈其道.
1.3μm InGaAsP/InP双异质结激光器阈值电流与温度的关系[J]
.半导体光电,1990,11(2):156-161.
被引量:1
4
白光.
脉冲PbSe/PbSnSeTe双异质结激光器调谐特性的研究[J]
.国外激光,1992(8):21-23.
5
颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,王启明.
刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性[J]
.Journal of Semiconductors,1997,18(11):836-839.
6
莫金玑,倪杰.
AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究[J]
.上海半导体,1994(2):1-4.
7
刘东红,张福厚,高建华,戴瑛,孟繁民,张玉生.
双异质结半导体激光器(DHL)的研制[J]
.山东工业大学学报,1995,25(2):158-161.
8
程文超,李月霞,梁基本.
GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量[J]
.Journal of Semiconductors,1990,11(11):829-833.
9
氧离子注入GaAs的研究[J]
.北京师范大学学报(自然科学版),1977,13(1):34-44.
10
张玲丽.
双异质结激光器的Pspice温度修正模型[J]
.数字通信,2012,39(1):77-79.
被引量:1
四川激光
1981年 第A02期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部