摘要
采用光CVD法制备了良好的SiO2薄膜,为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。
SiO2 film of good quality was manufactured by photo-CVD method. A new decorative way for semiconductors and gas sensors is presented.
出处
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
1996年第1期14-16,共3页
Journal of Nanchang University(Natural Science)
基金
江西省自然科学基金
南昌大学校基金