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La_(1-x)Pr_xMnO_3(x=0·1,0·2)薄膜庞磁电阻性质的研究 被引量：2

Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La_(1-x)Pr_xMnO_3 thin films
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摘要 一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La_(1-x)Pr_xMnO_3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO_3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系. The oxide La1-xPrx MnO3 （ x = 0.1, 0.2） thin film showing colossal magnetoresistance has been epitaxially grown on （100） SrTiO3 single-crystal substrate by pulsed-laser deposition. The films have a perovskite structure and perform the colossal magnetoresistance effect with the maximum magnetoresistance ratio of 95 % under the magnetic field of 5 T. The valence of Pr is confirmed as ＋ 4 through XPS. Therefore the epitaxial film is most likely an electron-doped colossal magnetoresistance fihn.
作者 段苹 陈正豪 戴守愚 周岳亮 吕惠宾
机构地区 天津大学应用物理系 中国科学院物理研究所
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1441-1446,共6页 Acta Physica Sinica
关键词 脉冲激光沉积 La1-xPrxMnO3 电子掺杂 庞磁电阻 pulsed laser deposition （PLD）, La1-xPrx MnO3 , electron-doped, colossal magnetoresistanee
分类号 O484.43 [理学—固体物理]
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引证文献2

二级引证文献1

物理学报
2006年 第3期

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