基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现

A new method of designing and implementing high-capacity FIFO based on SRAM and DRAM

分别基于Hynix公司的SRAM HY64UD16322A和DRAM HY57V281620E,介绍了采用两种不同的RAM结构,通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。

A new method of designing and implementing high-capacity FIFO （First In First Out） memory by CPLD based on SRAM （HY64UD16322A） and DRAM （HY57V281620E）is introduced.