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Be(0001)薄膜中的量子尺寸效应与吸附氢的第一性原理计算 被引量:4

First-principles calculation of Be(0001) thin films:quantum size effect and adsorption of atomic hydrogen
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摘要 通过基于密度泛函理论的第一性原理方法对铍自由表面的电子结构及表面原子氢的吸附能作了详细计算,给出Be(0001)薄膜的电子结构、表面能、电子功函数、层间弛豫等物理量随厚度变化关系,同时讨论了原子氢在Be(0001)表面的吸附性质,给出了吸附能及局域电子态密度随铍薄膜层厚的变化关系,体现了铍薄膜的量子尺寸效应. We have carried out first-principles calculations of Be (0001) thin films exhibited in the surface energy, work function, and binding energy of the atomic to study the oscillatory quantum size effects hydrogen monolayer adsorption. The prominent enhancement of the surface density of states at the Fermi level makes Be (0001) thin films more metallic compared to the crystalline Be. As a result, the calculated energetics of Be films and the properties of atomic H adsorption onto Be(0001) surface are featured by a quantum oscillatory behavior. Furthermore, The prominent change in the Be(0001) surface electronic structure by the atomic hydrogen adsorption has also been shown.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期465-473,共9页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金(批准号:10544004)资助的课题~~
关键词 表面能 功函数 量子尺度效应 surface energy, work function, quantum size effects
  • 相关文献

参考文献61

  • 1Paggel J J, Miller T, Chiang T C 1999 Science 283 1709.
  • 2Tesanovic Z, Jaric M V, Maekawa S 1986 Phys. Rev. Lett. 57 2760.
  • 3Meyerovich A E, Stepaniants S 1994 Phys. Rev. Lett. 73 316.
  • 4Kawabata A 1993 J. Phys. Soc. Jpn. 62 3988.
  • 5Miller T, Samsavar A, Franklin G E, Chiang T C 1988 Phys. Rev.Lett. 61 1404.
  • 6Zeng H, Vidali G 1995 Phys .Rev. Lett. 74 582.
  • 7Hinch B J, Koziol C, Toennies J P, Zhang G 1989 Europhys. Lett.10 341.
  • 8Altfeder I B, Chen D M, Matveev K A 1998 Phys. Rev. Lett. 80 4895.
  • 9Yeh V, Berbil-Bautista L, Wang C Z, Ho K M, Tringides M C 2000 Phys. Rev. Lett. 85 5158.
  • 10Su W B, Chang S H, Jian W B, Chang C S, Chen L J, Tsong T T 2001 Phys. Rev. Lett. 86 5116.

二级参考文献38

  • 1[3]Weide J, Zhang Z,Baumann PK et al 1994 Phys. Rev. B 50 5803
  • 2[4]Landstrass M I, Ravi K V 1989 Appl. Phys. Lett. 55 975;Landstrass M I, Ravi K V Appl. Phys. Lett. 55 1391
  • 3[5]Grot S A et al 1990 IEEE Electron Device Lett. 11 100
  • 4[6]Maki T et al 1992 Jpn. J. Appl. Phys. 31 L1446
  • 5[7]Mori Y et al 1993 Jpn. J. Appl. Phys. 32 L987
  • 6[8]Albin S, Watkins L 1990 Appl. Phys. Lett. 56 1454
  • 7[9]Hayashi K, Yamanaka S, Watanabe H 1997 J. Appl. Phys. 81744
  • 8[10]Jiang N, Ito T 1999 J. Appl. Phys. 85 8267
  • 9[11]Geis M W, Twichell J C 1995 Appl. Phys. Lett. 67 1328
  • 10[12]Tsugawa K et al 1999 Diamond Relat. Mater. 8 927

共引文献23

同被引文献116

  • 1周震,言天英,高学平.储能材料的模拟与设计[J].物理化学学报,2006,22(9):1168-1174. 被引量:9
  • 2田永东,李宁.煤对甲烷吸附能力的影响因素[J].西安科技大学学报,2007,27(2):247-250. 被引量:37
  • 3Biswas, R.; Hamann, D. R. Phys. Rev. Lett., 1986, 56:2291.
  • 4Mattsson, T. R.; Wahnstrom, G.; Bengtsson, L.; Hammer, B. Phys. Rev. B, 1997, 56:2258.
  • 5Bhatia, B.; Sholl, D. S. J. Chem. Phys., 2005, 122:204707.
  • 6Ledentu, V.; Dong, W.; Sautet, P.; Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B, 1998, 57:12482.
  • 7Dong, W.; Kresse, G.; Furthmuller, J.; Hafner, J. Phys. Rev. B, 1996, 54:2157.
  • 8Chou, M. Y.; Chelikowsky, J. R. Phys. Rev. B, 1987, 59:1737.
  • 9Abramov, E.; Riehm, M. P.; Thompson, D. A.; Smelter, W. W. Z Nucl. Mater., 1990, 175:9.
  • 10Vajeeson, P.; Ravindran, P.; Kjekshus, A.; Fjellvag, H. Appl. Phys. Lett., 2004, 84:34.

引证文献4

二级引证文献31

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