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氧化物中固定电荷对硅场致发射的影响

Influence of Fixed Charges Within Oxide on Field Emission From Si
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摘要 本文给出了硅表面覆盖氧化层时,场发射电流的解析公式.考虑了固定氧化物电行时场致发射的影响.结果表明,氧化物和固定电荷均使场发射电流减小,场发射Fowler-Nordheim图中有两个明显的线性区. Abstract Taking into account the fixed charge within the oxide, an analytical formula for field emission from the oxide-covered silicon is presented. The results show that both the oxide film and the fixed charge reduce the field; emission current. The Oxide films over about 1nm in thickness result in the two-distinct linear regions in Fowler-Nordheim plot.
作者 黄庆安
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期852-857,共6页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金 国防科技预研基金
  • 相关文献

参考文献6

  • 1黄庆安.真空微电子学的研究与发展[J].电子学报,1995,23(10):134-138. 被引量:5
  • 2黄庆安,J Appl Phys,1995年,78卷,2期,1254页
  • 3黄庆安,J Appl Phys,1995年,78卷,11期,6770页
  • 4黄庆安,J Appl Phys,1995年,34卷,L918页
  • 5Yang G,IEEE Trans Electron Devices,1991年,38卷,11期,3273页
  • 6刘学悫,阴极电子学,1980年

二级参考文献6

共引文献4

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