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温度对势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构的影响

Effects of Temperature on Electronic Structures of Barrier-δ-Doped Quantum Wells Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)
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摘要 采用有效质量近似下的包络函数方法,对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布进行了自洽计算.详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响. Abstract The potential and electron density distributions of barrier-δ-doped quantumwells Si/Ge0.3Si0.7 grown on the alloy Ge0.3Si0.7(001) at various temperatures are selfconsistently calculated in effective mass approximation.The effects of the temperature on thepotential and electron density distributions are studied in detail.
作者 徐至中
机构地区 复旦大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期561-566,共6页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
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  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献2

  • 1Wang P J,Appl Phys Lett,1989年,55卷,2333页
  • 2Kuo T Y,J Appl Phys,1988年,64卷,3324页

共引文献1

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