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Si/SiO_2/p-Si结构的电学特性
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摘要
用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析。结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近。
作者
马自军
马书懿
机构地区
甘肃农业大学理学院
西北师范大学物理与电子工程学院
出处
《甘肃科技》
2008年第7期83-84,共2页
Gansu Science and Technology
基金
甘肃农业大学理学院青年教师科研基金资助
关键词
Si/SiO2薄膜
射频磁控溅射
I-V特性
能带图
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
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甘肃科技
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