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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第1期62-62,共1页
Micronanoelectronic Technology
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1李及,闫军.半导体激光器的最新进展[J].今日科技,1996,16(1):5-6.
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2尉伟,吴晓伟,吕凡,肖云峰,付绍军,裴元吉,韩正甫.XeF_2对SiO_2/Si的干法刻蚀[J].中国科学技术大学学报,2009,39(6):603-607. 被引量：2
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3于力,易爱平,刘晶儒,马连英,张永生.XeF_2光解离波时空特性研究[J].强激光与粒子束,2005,17(2):177-180. 被引量：5
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4应用材料公司推出全新刻蚀系统[J].中国集成电路,2015,24(8):5-5.
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5应用材料公司推出全新刻蚀系统实现原子级生产精度[J].电子工业专用设备,2015,0(7):22-22.
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6于力,刘晶儒,马连英,易爱平,黄超,安晓霞.XeF_2光解离波的空间传输对形成XeF(C—A)激光的影响[J].激光杂志,2006,27(1):78-79. 被引量：1
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7Yuan Huang,Jing Wu,Xiangfan Xu,Yuda Ho,Guangxin Ni,Qiang Zou,Gavin Kok Wai Koon,Weijie Zhao,A. H. Castro Neto,Goki Eda,Chengmin Shen,Barbaros Ozyilmaz.An innovative way of etching MoS2： Characterization and mechanistic investigation[J].Nano Research,2013,6(3):200-207. 被引量：3
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8STS与XACTIX合推新型大批量生产XeF2蚀刻设备[J].电子工业专用设备,2008,37(8):63-64.
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9孙敏.全自动湿法刻蚀系统在PSS制程中的应用[J].电子工业专用设备,2015,44(8):24-29.
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10胡志云,刘晶儒,张永生,于力,袁孝.表面放电光泵浦XeF(C-A)激光数值模拟[J].强激光与粒子束,2000,12(5):529-532. 被引量：2
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