摘要
给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
In this paper,the optimum design strategies for Si/SiGe/Si HBT operation at room temperature and low temperature are given and discussed.The design difference between room temperature and low temperatures is pointed out.These strategies can be used to design special Si/SiGe/Si HBTs.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期13-18,22,共7页
Semiconductor Technology
基金
国家教委博士点基金
北京市科技新星计划基金
