摘要
阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为3~5Ω·cm的n型(100)硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列,锥尖密度达3900个/mm2,起始发射电压为2~3V,反向击穿电压大于30V,收集极在20V在电压时,单尖发射电流达0.2μA,实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。
This paper describes principle of vacuum micro electron tactiles sensor.The silicon tips field emission array have been fabricated by using anisotripic etching and oxidation sharpening on the Si(100) substrate (n type,P=3~5 Ω·cm).The density of tips is up to 3900 tips/mm 2,and the starting emission voltage is 2~3 V,emission current is 0.2 μA at anode voltage of 20 V,and the backward breakdown voltage is 30 V.The experimental results show that the sensor has good tactile effect.
出处
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1998年第4期12-16,共5页
Journal of Chongqing University
基金
国家自然科学基金
关键词
场致发射
锥尖陈列
真空微电子
触觉传感器
field emission
silicon tip array
anisotripic etching
oxidation sharpening