摘要
在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300℃和400℃热退火后,测得了来自发光中心Er3+内层4f电子跃迁的1.54μm光致发光。400℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。
Thin film of a Si:H and a SiCx:H are co doped with erbium and oxygen by ion implantation.Photoluminescence at 1.54 μm due to an intra 4f transition of Er 3+ is observed after thermal annealing at 300 ℃ and 400 ℃,the better annealing temperature is 400 ℃.As the concentration of carbon increases,the luminescence decreases,perhaps because carbon reduce the mobility of interval oxygen during annealing in the film.
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
1998年第4期301-303,共3页
Journal of Optoelectronics·Laser
基金
中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室和国家教委光学信息技术科学开放实验室的资助
关键词
铒
氧
离子注入
光致发光
a Si:H and a SiCx:H
Erbium
Oxygen
implantation