摘要
研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术,研制出6条层叠GaAs/AlCaAs量子阱激光器列阵,其峰值功率为404W(20Hz,200μs),电-光转换效率高达43.3%。
The quantum well laser diode arrays with 6 laser bars have been developed. The peak power reaches 404W(20Hz, 200μs) and the maximum electrical optical conversion efficiency is up to 43 3%.
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1998年第8期1-3,共3页
Chinese High Technology Letters