期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
高线性度上/下变频SiGe混频器
下载PDF
职称材料
导出
摘要
MAX2042可提供36dBm的IIP3、23.4dBm的IP1dB、7.2dB的转换损耗和7.3dB的噪声系数。此外,器件还具有优异的2阶和3阶杂散抑制。作为上变频器使用时,MAX2042具有同样出色的性能,其IIP3为32.4dBm、LO±2IF抑制为67dBc、转换损耗仅为6.8dB。
出处
《今日电子》
2010年第1期62-62,共1页
Electronic Products
关键词
SIGE
高线性度
混频器
下变频
噪声系数
杂散抑制
上变频器
损耗
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
TP213 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
宽带3 GHz至8 GHz混频器凭借25 dBmOIP3和2 dB转换损耗改善上变频性能[J]
.电子设计工程,2015,23(12):122-122.
2
+36 dBm ⅡP3下变频混频器[J]
.电子设计工程,2013,21(18):16-16.
3
Maxim推出线性度最高的2000 MHz~3000 MHz上/下变频SiGe混频器[J]
.电子技术应用,2009,35(12):105-105.
4
王勇,朱香芹,张士刚,倪津津.
2cm上变频器组件Ⅰ的设计与测试[J]
.低温与超导,2009,37(1):72-74.
5
ST推出250A功率MOSFET[J]
.中国电子商情,2008(8):84-84.
6
瑞萨电子第8代IGBT,转换损耗降至新低[J]
.电子制作,2016,0(4):100-100.
7
有源双平衡上变频混频器[J]
.今日电子,2015,0(8):64-65.
8
具有领先功率密度及98%转换效率的工业标准封装母线转换器[J]
.半导体技术,2011,36(4):335-335.
9
王亮亮,安俊明,吴远大,王玥,张家顺,张晓光,潘盼,张俪耀,胡雄伟,赵德刚.
特种非对称低损耗1×5光分路器[J]
.光子学报,2013,42(3):298-302.
被引量:1
10
郑畅.
凌力尔特推出有源双平衡上变频混频器宽带3~8GHz[J]
.半导体信息,2015(3):23-24.
今日电子
2010年 第1期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部