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X波段GaAsMESFET功率放大器的设计
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摘要
给出了根据给定的电路拓扑结构和FET的S参数,借用Smith圆图设计思想进行放大器设计的机辅设计方法,并用该方法设计了X波段GaAsMESFET功率放大器。实验调试结果表明运用该方法能很好地满足设计指标且简单有效。
作者
汪连栋
袁乃昌
王国玉
机构地区
洛阳电子装备试验中心
长沙国防科大四系
出处
《雷达与对抗》
1998年第4期19-23,共5页
Radar & ECM
关键词
功率放大器
机辅设计
SMITH圆图
S参数
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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