ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

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摘要在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

作者魏彦锋黄大鸣王兴军俞根才诸长生王迅

机构地区复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期492-496,共5页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金

关键词半导体量子阱双激子发光谱分子束外延生长

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学] TN301 [电子电信—物理电子学]

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