期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
IDT推出业界最低功率DDR3—1866内存缓冲芯片
下载PDF
职称材料
导出
摘要
IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)日前推出业界首款低功率DDR3内存缓冲芯片,可在高达1866兆/秒(MT/s)的传输速率下运行。通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块(LRDIMM)的最高数据传输速率,并使系统制造商获益于更高速度的内存容量,新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。
出处
《中国集成电路》
2012年第12期7-7,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
IDT公司
内存缓冲
低功率
芯片
高数据传输速率
内存模块
内存容量
内存接口
分类号
TN915.05 [电子电信—通信与信息系统]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
付传斌,张志刚,滕云.
采用内存接口的液晶显示模块[J]
.电子产品世界,2003,10(06A):53-54.
2
泰克推出LPDDR4物理层测试解决方案[J]
.国外电子测量技术,2014,33(10):96-96.
3
汪锐,杨士元.
采用内存接口的液晶显示模块[J]
.电子技术应用,2002,28(7):68-69.
被引量:1
4
杨龙坡,金宏斌.
一种新的雷达情报终端模拟器设计与实现[J]
.微计算机信息,2007,23(02S):243-244.
被引量:7
5
终端设备与显示设备[J]
.电子科技文摘,2002,0(12):56-57.
6
IDT与英特尔实现先进内存缓冲装置互通[J]
.电子产品世界,2005,12(10B):20-20.
7
XILINX推出业界第一款667 Mbps DDR2 SDRAM接口解决方案[J]
.电子与电脑,2006,6(4):68-68.
8
IDT与Intel合作实现内存缓冲装置互通[J]
.电子测试(新电子),2005(10):108-108.
9
Ramtron推出低功耗256千位串口F-RAM存储器[J]
.现代电子技术,2009,32(8):121-121.
10
蔡奕群.
谈谈SP短信接口网关开发[J]
.河南科技,2010,29(7X):65-66.
中国集成电路
2012年 第12期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部