期刊文献+

IDT推出业界最低功率DDR3—1866内存缓冲芯片

下载PDF
导出
摘要 IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)日前推出业界首款低功率DDR3内存缓冲芯片,可在高达1866兆/秒(MT/s)的传输速率下运行。通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块(LRDIMM)的最高数据传输速率,并使系统制造商获益于更高速度的内存容量,新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。
出处 《中国集成电路》 2012年第12期7-7,共1页 China lntegrated Circuit
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部