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含有共轭三键的高聚物的掺杂机制的探讨 被引量:4

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摘要 本文从实验事实出发,对含有共轭三键的共轭高聚物——聚丁二炔的掺杂及电导的特点进行了详细的分析;对聚丁二炔晶体掺杂的机制进行了初步的探讨;从结构相变的角度出发,提出了一个掺杂模型,并从能量的角度估算了由于掺杂引起链段结构改变所需的能量,较好地解释了聚丁二炔晶体掺杂未取得成功的原因.
作者 彭景翠
机构地区 湖南大学物理系
出处 《中国科学(A辑)》 CSCD 1990年第8期819-824,共6页 Science in China(Series A)
基金 国家自然科学基金
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参考文献1

  • 1R. T. Read,R. J. Young. Radiation damage and high resolution electron microscopy of polydiacetylene crystals[J] 1984,Journal of Materials Science(1):327~338

同被引文献5

引证文献4

二级引证文献29

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