摘要
随着工艺的不断发展,深亚微米IC物理设计给了我们很大的挑战,比如在时序收敛、电压降、串扰分析等方面带来的挑战。本文以一块高性能单片机芯片的后端设计流程为例,讲述在0.18μm工艺下后端设计过程中所遇到的问题,以及解决问题的新方案,克服了以往后端设计耗时长的缺陷,在短时间内完成了后端设计。
As the development of process, IC physical design in Deep Submicron challenge,such as the challenge in timing closure,IR Drop ,crosstalk analysis a high-performance single chip microcomputer as an example, introduces the diffi in the back-end design in 0.18μm technology. We finished the back-end des drawback of time-consuming in back-end design.
出处
《中国集成电路》
2013年第4期51-56,共6页
China lntegrated Circuit
