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IC外延电阻相似失效案例的比较与分析

The Comparison and Analysis of Similar Failure Cases about IC Epitaxial Resistance
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摘要 该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型,并予以归类。 Based on the analysis of three typical failure cases in IC manufacturing line,which including epi- taxial resistance variation.,excessive filed ion-immission and the floating N+B.Through comparing the simi- larities and differences between them,we can understand and grasp the changes of PCM parameters quickly.It's also convenient for sorting out and calssifying different failure modes.
出处 《电子质量》 2013年第6期17-24,共8页 Electronics Quality
关键词 外延电阻 埋层上浮 场注入 epitaxial resistance floating N+B filed ion immission
  • 相关文献

参考文献2

  • 1[美]NEAMENDA.半导体物理与器件[M].赵毅强,等,译.北京:电子工业出版社,2005.
  • 2[美]AlanHastings.模拟电路版图的艺术[M].张为,等,译.北京:电子工业出版社,2011.

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