GaN薄膜在自持金刚石衬底上的ECR—PEMOCVD法的生长研究

下载PDF

导出

摘要利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。

作者苗丽华张东

机构地区沈阳医学院计算机与数理基础教学部数理教研室沈阳工程学院新能源学院新能源材料与器件系

出处《中国科技信息》 2014年第2期42-44,共3页 China Science and Technology Information

基金辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)

关键词自持金刚石衬底 GAN薄膜 ECR—PEMOCVD 沉积温度

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

引文网络
相关文献

参考文献5

1马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,刘建强,马瑾.GaN薄膜的研究进展[J].功能材料,2004,35(5):537-540. 被引量：12
2Wu J,Walukiewicz W,Yu KM. Unusual properties of the fundamental band gap of InN[J].{H}Applied Physics Letters,2002,(21):3967.
3WOLTER A,SCHENK H,GAUMONT E. Wafer level vacuum packaged resonant microscanning mirrors for compact laser projection displays[A].San Jose,CA,2008.688706-1-688706-15.
4文博,周建军,江若琏,谢自力,陈敦军,姬小利,韩平,张荣,郑有炓.InGaN太阳电池转换效率的理论计算[J].Journal of Semiconductors,2007,28(9):1392-1395. 被引量：11
5陈权.GaN基电子器件研究进展[J].世界产品与技术,2003(11):47-47. 被引量：2

二级参考文献13

1Wu J,Walukiewicz W,Yu K M,et al.Unusual properties of the fundamental band gap of InN.Appl Phys Lett,2002,80(21):3967.
2Matsuoka T,Okamoto H,Nakao M,et al.Optical bandgap energy of wurtzite InN.Appl Phys Lett,2002,81(7):1246.
3Tansley T L,Foley C P.Optical band gap of indium nitride.J Appl Phys,1986,59(9):3241.
4Chin V W L,Tansley T L,Osotchan T.Electron mobilities in gallium,indium,and aluminum nitrides.J Appl Phys,1994,75(11):7365.
5Wu J,Walukiewicz W,Yu K M,et al.Superior radiation resistance of In1-x Gax N alloys:Full-solar-spectrum photovoltaic material system.J Appl Phys,2003,94(10):6477.
6Hamzaoui H,Bouazzi A S,Rezig B.Theoretical possibilities of InxGa1-xN tandem PV structures.Solar Energy Materials and Solar Cells,2005,87:595.
7Shockley W,Queisser H J.Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells.J Appl Phys,1961,32(3):510.
8http://rredc.nrel.gov/solar/spectra/am1.5/ASTMG173/ASTMG173.html.
9施敏.半导体器件物理与工艺.第2版.苏州:苏州大学出版社,2002:522.
10Levinshtein M E,Rumyantsev S L,Shur M S.Properties of advanced semiconductor materials:GaN,AlN,InN,BN,SiC,SiGe.New Jersey:John Wiley & Sons,2001:23.

共引文献22

1王其民,赵丽伟,滕晓云,张帷,刘彩池.原子力显微镜在GaN研究中的应用[J].现代仪器,2006,12(4):25-27. 被引量：1
2王福学,薛成山,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,杨兆柱,李红.氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜[J].功能材料,2007,38(2):231-233. 被引量：1
3薛成山,王福学,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,陈金华,秦丽霞.氨化Si基Ga_2O_3/In_2O_3制备GaN薄膜[J].功能材料,2007,38(10):1632-1634. 被引量：1
4任丙彦,褚世君,吴鑫,于建秀,孙秀菊.φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究[J].Journal of Semiconductors,2008,29(9):1790-1793. 被引量：1
5王文彦,秦福文,吴爱民,宋世巍,李瑞,姜辛,徐茵,顾彪.玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究[J].半导体技术,2008,33(10):880-884. 被引量：2
6王文彦,秦福文,吴爱民,宋世巍,刘瑞贤,姜辛,徐茵,顾彪.氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响[J].Journal of Semiconductors,2008,29(12):2376-2380. 被引量：2
7李力猛,周炳卿,陈霞,韩兵,郝丽媛.μcSi(n)/cSi(p)异质结太阳电池微晶硅背场的模拟与优化[J].信息记录材料,2009,10(3):18-21. 被引量：3
8林硕,沈晓明,张保平,李福宾,李建功,孟祥海.InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟[J].科学通报,2010,55(15):1446-1452. 被引量：4
9吕曼,司晓琨,杨立军.GaN微电子器件的研究进展[J].河北省科学院学报,2011,28(1):49-55. 被引量：1
10王金飞,薛玉明,祝俊刚,周凯,谭炳尧,张衷维,李石亮,裴涛,汪子涵,王一,牛伟凯,姜舒博,杨醒,蓝英杰.衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响[J].天津理工大学学报,2012,28(1):79-82.

1WANG EnPing,BIAN JiMing,QIN FuWen,ZHANG Dong,LIU YueMei,ZHAO Yue,DUAN ZhongWei,WANG Shuai.Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature[J].Chinese Science Bulletin,2013,58(30):3617-3623. 被引量：2
2莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,李鹏,姚冬敏,辛勇,江凤益,南昌大学.使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究[J].发光学报,2001,22(1):75-79.
3邢艳辉,韩军,邓军,李建军,徐晨,沈光地.p型GaN低温粗化提高发光二极管特性[J].物理学报,2010,59(2):1233-1236. 被引量：4
4闫锋,刘正堂,巨志高.CVD金刚石衬底上抗氧化、增透膜的制备与性能[J].硅酸盐学报,2010,38(10):1891-1895. 被引量：4
5彭练矛,任罡.热漫散射贡献的高能电子衍射吸收结构因子的Doyle-Turner解析表述[J].物理学报,1996,45(8):1344-1349.
6张峥,霍晓.CVD金刚石薄膜抛光技术的研究进展[J].真空科学与技术,2000,20(4):270-273. 被引量：11
7杨国伟,毛友德.CVD金刚石膜在光滑衬底表面成核研究的进展[J].微细加工技术,1995(4):43-46.
8于三,金曾孙,吕宪义,邹广田.金刚石薄膜的阴极荧光特性研究[J].科学通报,1992,37(1):86-89.
9黄健,王林军,唐可,张继军,夏义本,鲁雄刚.氧化锌/金刚石薄膜异质结紫外光探测器[J].发光学报,2011,32(3):272-276. 被引量：4
10张圣斌,左敦稳,卢文壮.金刚石衬底的氧化钒薄膜光电特性研究[J].红外与激光工程,2016,45(12):212-219.

中国科技信息

2014年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

GaN薄膜在自持金刚石衬底上的ECR—PEMOCVD法的生长研究

参考文献5

二级参考文献13

共引文献22

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史