低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应
被引量：1
Weak Localizatinn of Low Compensated n-Hg_(1-x)Cd_xTe
摘要
本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响．
同被引文献12
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