摘要
电子气体是发展大规模、超大规模和兆位级集成电路必不可少的材料。目前国外256K DRAM(动态存取存储器)已进入成熟期,1兆位DRAM进入全盛期,4兆位DRAM已正式销售,1987年首先由日本开发成功16兆位DRAM。为适应IC(集成电路)发展对材料的需求,国外许多特种气体公司先后开发出电子级、超大规模集成电路级(VLSI)和兆位级电子气体。线宽进入亚微米级后,尘埃、金属粒子污染问题更为人们所关注。本文简介粒子污染及其洁净技术的进展。一、尘埃和金属粒子源及其对半导体器件质量的影响在用于制造半导体器件的气体中。
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期31-35,共5页
New Chemical Materials