摘要
近日,应用材料宣布推出Endura Volta化学气相沉积(CVD)钴金属系统,藉由钴金属来包覆铜导线,提供半导体厂快速抢进20纳米以下先进制程。同时,应用材料也推出Endura Ventura物理气相沉积(PVD)系统,协助客户利用直通硅晶穿孔(TSV)技术快速完成3D晶片产能布建。应用材料将钴金属层的导入做为出色的金属包覆薄膜,是半导体导线材料过去15年来最重大的变革。Endura
出处
《半导体信息》
2014年第3期31-32,共2页
Semiconductor Information
