摘要
Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载流子退化与沟道长度的关系,在模拟工作条件下 MOS 晶体管的低频噪声的热载流子退化。
出处
《电子科技文摘》
2000年第4期26-27,共2页
Sci.& Tech.Abstract
