摘要
采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为Si/SiO_2/Ta(3.2nm)/Ni_(81)Fe_(19)(18.7nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.9nm)/Cu(2.5nm)/Co_(90)Fe_(10)(22.4nm)/Ir_(22)Mn_(78)(23.8nm)/Ta(3.6nm)的顶钉扎型自旋阀,研究了磁场退火的温度和时间对自旋阀的磁电阻变化率(GMR)的影响。结果发现,随磁场退火温度的升高和时间的增加,GMR呈现先升高后降低的趋势,275℃为最佳退火温度,最佳退火时间只有15min,分析了该趋势的变化原因。最佳退火条件下制备的自旋阀GMR达到6.0%,自由层矫顽力(H_c)为11Oe,交换场(H_(ex))约为108Oe。
By method of high vacuum DC magnetron sputtering,the top pinning spin valve which structure is Si/SiO_2/Ta（3.2nm）/Ni_（81）Fe_（19）（18.7nm）/Co_（90）Fe_（10）（3.9nm）/Cu（2.5nm）/Co_（90）Fe_（10）（22.4nm）/Ir_（22）Mn_（78）（23.8nm）/Ta（3.6nm）is prepared,and this text studied the effect of magneticfield annealing temperature and time on GMR of spin valve.The result shows that with temperature and time increasing,GMR first increases and then goes down,and the optimized annealing temperature is 275 ℃,time 15 min.Analyze the cause of this trend.Under optimized annealing condition,the prepared spin valve GMR reaches 6.0%,coercivity of free layer（H_c）is 11Oe,the exchange field（H_（ex））is about 108Oe.
作者
宋玉哲
高晓平
王向谦
李建锋
刘家勇
Song Yuzhe Gao Xiaoping Wang Xiangqian Li Jianfeng Liu Jiayong(Institute of Sensor Technology ,Gansu Academy of Sciences ,Lanzhou 730000 ,China Gansu Province Key Laboratory of Sensor and Sensing Technology ,Lanzhou 730000,China)
出处
《甘肃科学学报》
2016年第5期61-64,共4页
Journal of Gansu Sciences
基金
国家自然科学基金(61664001)
甘肃省科技支撑计划(144GKCA02)
兰州市科技计划项目(2014-2-8)
甘肃省科学院应用研究与开发计划(2013JK-01
013JK-02
2015JK-11)
甘肃省基础研究创新群体(2015GS05470)
甘肃省科学院创新国团队(X201602)
关键词
自旋阀
顶钉扎
磁场退火
巨磁阻
Spin valve
Top pinning
Magneticfield annealing
Giant magneto resistance
