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中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定

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摘要日前,由中国科学院微电子研究所和株洲中车时代电气股份有限公司共同完成的＂高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证＂项目科技成果鉴定会在北京顺利召开。本次鉴定会由中国电子学会组织,西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任.

出处《半导体信息》 2017年第5期13-14,共2页 Semiconductor Information

关键词科技成果鉴定会碳化硅器件电气西安电子科技大学电子研究所中国科学院电力电子器件 MOSFET

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]

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