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电子-位错散射对金属低温下电子-电子散射电阻率ρee(T)的重要贡献

THE IMPORTANT CONTRIBUTION OF THE ELECTRON-DISLOCATION SCATTERING TO ELECTRON-ELECTRON SCATTERING RESISTIVITY pee (T) IN METALS AT LOW TEMPERATURE
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摘要 在过去的十五年内,低温下金属中电子-电子散射电阻率ρ_(ea)(T)的实验和理论取得了不少进展。由位错等引起的各向异性的电子散射过程在引起电子—电子散射电阻率的样品依赖性方面起了重要作用。 Within the past decade and half, much progress has heen made in the theory and experiments of the electron-electron scattering resistivity in metals at low-temperature. An important role by anisotropic electron scattering presses such as those caused by dislocation etc in turn leads the sample dependence of the electron-electron scattering resistivity.
作者 向永寿
出处 《重庆师范学院学报(自然科学版)》 1991年第1期78-84,共7页 Journal of Chongqing Normal University(Natural Science Edition)
关键词 金属 低温 电阻率 位错 电子散射 the electron relaxation time, electron-impurity scattering, electron-dislocation scattering, the isotropic limit, the anisotropic limit, the sample dependence
  • 引文网络
  • 相关文献

参考文献1

  • 1向永寿.声子拖拽(Phonon drag)对碱金属低温电阻率的重要影响[J]重庆师范学院学报(自然科学版),1986(01).
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