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光刻技术《激光与光电子学进展》
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摘要
光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,其分辨率决定了集成电路芯片的集成度。为了追求更高的分辨率,光刻机曝光波长已从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到当前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径则从初期的0.28增大到干式光刻机的0.93,再到浸液式光刻机的1.35。
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2021年第19期F0002-F0002,共1页
Laser & Optoelectronics Progress
关键词
集成电路芯片
光刻机
光刻技术
投影物镜
数值孔径
极大规模集成电路
紫外波段
浸液式光刻
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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