高性能低维柔性电子集成技术取得重要进展

近日,国内学者创新性地引入非共价氢键相互作用来克服固有范德华间隙导致的高接触电阻,为实现超越范德华接触限制的高性能、低功耗柔性电子器件提供了一种可扩展的解决方案。实现低接触电阻是开发高性能电子器件的基本前提,但在低维半导体领域仍然是一项艰巨的挑战。实现低接触电阻的挑战之一是要求金属和半导体的能带对齐以及具有无费米能级钉扎的接触界面,从而最大限度地减少肖特基势垒。通过非共价范德华力而非共价键将金属与低维半导体键合,从而形成清洁无损的原子界面,实现肖特基势垒的定制以逼近肖特基-莫特极限。