一种熔盐反应堆用石墨表面SiC涂层的制备方法

申请(专利)号:CN201711084082.2申请日:2017-11-07申请公布号:CN107814590A申请公布日:2018-03-20申请人:中国科学院山西煤炭化学研究所发明人:刘占军,何钊,连鹏飞,宋金亮,张俊鹏,郭全贵主权项:一种熔盐反应堆用石墨表面SiC涂层的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将聚碳硅烷或改性聚碳硅烷加入到溶剂之中,边搅拌边升温至30~60℃并使聚碳硅烷或改性聚碳硅烷完全溶解,得到聚碳硅烷或改性聚碳硅烷浸渍剂;(2)将核石墨构件干燥处理后,置于浸渍设备中,升温至30~60℃后恒温,并开始抽真空至浸渍腔体内部至气压在0.01 MPa,持续抽真空1~3 h;(3)向浸渍设备中加入浸渍液,须保证加压结束后浸渍液液面比核石墨构件顶端高出10~20 mm,随后向浸渍设备内部通入高压惰性气氛加压至0.5~8 MPa,保持恒定高压3~5 h,泄压后取出浸渍核石墨构件并将其置于通风干燥处干燥8~24 h,使溶剂挥发干净,得到干燥的浸渍核石墨构件;(4)将干燥的浸渍核石墨构件在高温炉中于惰性气氛下以1~10℃/min升温至1000~1500℃焙烧1~3 h完成焙烧处理,获得SiC涂层包覆的核石墨构件;(5)对步骤(4)中所得核石墨构件进行检测,当平均孔径减小至1μm以下时为合格,当达不到指标时,重复步骤(1)~(4),直至达到指标。