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高速率低压气相合成金刚石薄膜 被引量:3

HIGH-RATE SYNTHESIS OF DIAMOND FILM BY DC PLASMA CVD
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摘要 本文给出了用低压直流等离子体法高速率化学气相合成金刚石薄膜的实验结果。其生长速率高达80μm/h左右,它是常规CVD法的80倍。利用X-射线衍射、扫描电子显微镜和Raman谱仪等对金刚石薄膜进行了分析,并对其结果给予简要地讨论。 Diamond thin films have been deposited by DC plasma chemical vapour deposition (CVD) with a high growth rate (≈80μm/h) at low pressure (≈2.66×10~4 Pa) which is about 80 times faster than that in the conventional chemical vapour deposition technique. Crystalline structure of the diamond film was examined by means of X-ray diffraction, scanning electron microscopy and Raman spectrometry. The experimental results are also discussed briefly in the paper.
机构地区 兰州大学物理系
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期143-146,共4页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 甘肃省科委和国家自然科学基金
关键词 金刚石 薄膜 合成 diamond thin films DC plasma CVD growth rate
  • 引文网络
  • 相关文献

参考文献1

  • 1Seiichiro Matsumoto. Chemical vapour deposition of diamond in RF glow discharge[J] 1985,Journal of Materials Science Letters(5):600~602

同被引文献6

  • 1杨保雄 蒋高松 等.金刚石薄膜研究进展[M].北京:化学工业出版社,1991.60.
  • 2王万录,真空科学与技术学报,1993年,2卷,112页
  • 3王万录,Thin Solid films,1992年,215卷,174页
  • 4王万录,物理学报,1992年,11卷,1906页
  • 5王万录,Phys Stat Sol,1991年,126卷,K115页
  • 6王福贞,闻立时编著,中国机械工程学会热处理学会.表面沉积技术[M]机械工业出版社,1989.

引证文献3

二级引证文献6

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