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极性半导体中表面激子的性质 被引量:3

Properties of Surface Exciton in Polar Semiconductors
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摘要 本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。 Some properties of the surface exciton in polar semiconductors are studied.The effectiveHamiltonian of the surface exciton is derived by a perturbation method. When we considerthe interaction between phonons of different wave vector in the recoil process, the influenceon effective potential between the electron and the hole, the self-trapping energy and the selftrappingcondition are discussed.
机构地区 内蒙古民族师院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期67-75,共9页 半导体学报(英文版)
基金 内蒙古自然科学基金
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  • 相关文献

参考文献6

  • 1肖景林,Phys State Solidi B,1991年,165卷,449页
  • 2顾世洧,应用科学学报,1985年,3卷,189页
  • 3Liang X X,Solid State Commun,1984年,50卷,505页
  • 4梁希侠,半导体学报,1983年,4卷,209页
  • 5梁希侠,内蒙古大学学报,1982年,13卷,167页
  • 6梁希侠,自然杂志,1982年,5卷,154页

同被引文献11

引证文献3

二级引证文献12

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