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添加晶种低温脱硅及其动力学 被引量:1

Desiliconizing Added Crystal Seed at Low Temperature and Its Dynamics
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摘要 本文研究了晶种容量表面积的低温脱硅效果,建立了低温脱硅动力学的经验公式及溶液中SiO2含量与脱硅时间的曲线方程,探索了晶种的选择及晶种的循环利用。试验结果表明晶种容量表面积的作用随溶液中SiO2介稳浓度的升高而增强,又随介稳浓度的降低而减弱;增大晶种容量表面积能加快脱硅速度。 This paper studies the desiliconizing effect of crystal seed capacity surface area at low temperature,establishes the empiric formula of desiliconizing dynamics at low temperature and the curve equation between the content of SiO 2 and desiliconizing time,discusses the choice of crystal seed and its reuse The experimental result states that the action of crystal seed capacity surface area is increased with the rising of SiO 2 metastable concentration,increasing crystal seed capacity surface area can achieve speedy desiliconizing
机构地区 山东铝业公司
出处 《山东冶金》 CAS 1998年第5期34-37,共4页 Shandong Metallurgy
关键词 晶种 脱硅 脱硅动力学 低温脱硅 氧化铝 desiliconizing added crystal seed,desiliconizing dynamics,desiliconizing at low temperature
  • 相关文献

参考文献1

  • 1杨重愚.氧化铝生产工艺学[M]冶金工业出版社,1993.

同被引文献10

引证文献1

二级引证文献2

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