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受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性 被引量:1

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摘要 近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来。
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期413-416,共4页 Chinese Science Bulletin
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参考文献7

  • 1Chen M C,J Appl Phys,1989年,65卷,1571页
  • 2邢旭,物理学报,1989年,38卷,1210页
  • 3邢旭,Chin Sci Bull,1987年,32卷,137页
  • 4邢旭,科学通报,1987年,32卷,10期,730页
  • 5邢旭,Chin Sci Bull,1986年,31卷,1313页
  • 6邢旭,科学通报,1986年,31卷,10期,730页
  • 7邢旭,科学通报,1985年,30卷,22期,1701页

同被引文献5

引证文献1

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