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受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性
被引量:
1
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摘要
近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来。
作者
邢旭
刘益春
齐秀英
焦志伟
机构地区
东北师范大学物理系
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期413-416,共4页
Chinese Science Bulletin
关键词
n-Ge
热缺陷
半导体
反常伏安特性
分类号
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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邢旭,Chin Sci Bull,1987年,32卷,137页
4
邢旭,科学通报,1987年,32卷,10期,730页
5
邢旭,Chin Sci Bull,1986年,31卷,1313页
6
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7
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邢旭,姜伟,王锡绂.
用反型层模型探讨n—Ge中的常温反常霍耳效应[J]
.物理学报,1989,38(7):1210-1214.
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2
邢旭.n-Ge在室温以下的反常磁致电阻效应[J].科学通报,1986,(31):730-732.
3
邢归 杨春芳.常温下n-Ge中的反常电导效应及其反常霍尔、反常磁致电阻效应的关系[J].科学通报,1987,(32):1857-1860.
4
邢旭.n-Ge中的反常霍尔效应[J].科学通报,1985,(30):1701-1703.
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邢旭.
n-Ge常温反常Hall效应机理实验[J]
.物理学报,1990,39(4):614-619.
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1
王永超,姜坤.
n-Ge样品中的反常伏安特性[J]
.新疆大学学报(自然科学版),2002,19(3):288-290.
1
鲁刚.
高温热处理后的n—Ge的霍尔效应与电阻率[J]
.黑龙江大学自然科学学报,1997,14(1):75-77.
2
王永超,姜坤.
n-Ge样品中的反常伏安特性[J]
.新疆大学学报(自然科学版),2002,19(3):288-290.
3
鲁刚.
高温热处理后的n—Ge的霍尔效应与电阻率[J]
.辽阳石油化专学报,1996,12(4):81-84.
4
邢旭.
p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应[J]
.中国科学(A辑),1990,21(8):880-888.
5
王印月,许怀哲,吴现成,陈光华.
掺杂a-Si∶H薄膜的非平衡热缺陷研究[J]
.兰州大学学报(自然科学版),1992,28(1):43-46.
6
李希明.
红外热成像技术在电力设备运行中的应用[J]
.机电信息,2014(3):80-81.
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7
吴文庆,张晓燕.
红外热成像技术在电力设备运行中的应用分析[J]
.中国新技术新产品,2015(9):23-23.
被引量:1
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姜坤,姜伟.
n-Ge中单峰型反常霍尔效应的理论研究[J]
.Journal of Semiconductors,1999,20(9):743-747.
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李艳鹏,张海,米康民.
电力设备典型缺陷红外诊断研究[J]
.山西电力,2016(6):8-10.
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王伟聪.
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.黑龙江科技信息,2010(26):54-54.
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科学通报
1991年 第6期
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