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半导体宏观数学模型的拟中性极限

Quasineutral Limit of the Macroscopic Mathematical Models for Semiconductors
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摘要 首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型 ,然后综述半导体材料科学的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果 .使用熵 (Entropy) In this paper a model hierarchy for semiconductor devices was presented firstly. Rigorous results on quasineutral limit of the macroscopic mathematical models for semiconductors were given then. Here the entropy methods and weak compactness methods were used.
作者 王术 王卫
出处 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期11-14,共4页 Journal of Henan University:Natural Science
基金 国家自然科学青年基金 (批准号 :10 0 0 10 34 ) 中国博士后科学基金资助项目
关键词 半导体模型 拟中性极限 熵方法 弱收敛方法 集中振荡现象 半导体材料 宏观数学模型 model for semiconductors quasineutral limit entropy method weak compactness method concentrationoscillation phenomena
  • 相关文献

参考文献5

  • 1Hsiao L,Quasineutrallimitofanonlineardrift_diffusionmodelsforsemiconductors:Thefastdiffasioncase,2001年
  • 2Hsiao L,Sci China,2001年
  • 3Gasser I,J Math Anal Appl,2000年
  • 4Jerome J W,Semiconductors 2,1994年,185页
  • 5Chen F,Introduction to Plasma Physics and Controlled Fusion 1,1984年

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