摘要
首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型 ,然后综述半导体材料科学的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果 .使用熵 (Entropy)
In this paper a model hierarchy for semiconductor devices was presented firstly. Rigorous results on quasineutral limit of the macroscopic mathematical models for semiconductors were given then. Here the entropy methods and weak compactness methods were used.
出处
《河南大学学报(自然科学版)》
CAS
2001年第4期11-14,共4页
Journal of Henan University:Natural Science
基金
国家自然科学青年基金 (批准号 :10 0 0 10 34 )
中国博士后科学基金资助项目