摘要
根据反型层模型 ,对 n-Ge中的反常伏安特性进行了定量计算 ,得到了与实验一致的结果 .
Based on the inversion layers model, Anomalous V A characteristic on n Ge design is calculated. The Calculatel result is coincident with experimeatal one.
出处
《新疆大学学报(自然科学版)》
CAS
2002年第3期288-290,共3页
Journal of Xinjiang University(Natural Science Edition)