期刊文献+

n-Ge样品中的反常伏安特性

Anomalous V-A Characteristic of n-Ge Design
下载PDF
导出
摘要 根据反型层模型 ,对 n-Ge中的反常伏安特性进行了定量计算 ,得到了与实验一致的结果 . Based on the inversion layers model, Anomalous V A characteristic on n Ge design is calculated. The Calculatel result is coincident with experimeatal one.
作者 王永超 姜坤
出处 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第3期288-290,共3页 Journal of Xinjiang University(Natural Science Edition)
关键词 n-Ge 反型层模型 反常伏安特性 反常霍尔效应 定量计算 半导体材料 电特性 Inversion layers model anomalous V A characteristic Anomalous Hall effect
  • 引文网络
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献14

  • 1邢旭,科学通报,1986年,31卷,1624页
  • 2邢旭,科学通报,1986年,31卷,730页
  • 3邢旭,科学通报,1985年,30卷,1701页
  • 4邢旭,物理学报,1989年,38卷,1210页
  • 5邢旭,科学通报,1987年,32卷,1857页
  • 6邢旭,科学通报,1986年,31卷,730页
  • 7邢旭,科学通报,1985年,30卷,1701页
  • 8邢旭,科学通报,1987年,32卷,10期,730页
  • 9邢旭,Chin Sci Bull,1986年,31卷,1313页
  • 10邢旭,科学通报,1986年,31卷,10期,730页

共引文献1

;
使用帮助 返回顶部