期刊文献+

原子层沉积技术发展概况 被引量:5

Development of atomic layer deposition technology
下载PDF
导出
摘要 主要介绍了原子层沉积技术的历史背景、原理(包括两种自限制的反应机制、前驱体的要求与分类)以及原子层沉积本身作为一种涂层制备技术的特征和优势。重点叙述了近年来原子层沉积技术在设备和工艺方面的发展状况和最新研究成果。最后,对原子层沉积技术的发展与前景分别进行了总结和展望。 This paper reviews the historical background, principle(including two self-limiting ways, requirements and classification of precursor)of ALD as well as the characteristics and advantages of ALD as a technology itself. The development status of ALD technology and the latest research results are mainly addressed.Finally, the development and prospect of ALD are summarized and prospected, respectively.
作者 苗虎 李刘合 旷小聪 MIAO Hu;LI Liu-he;KUANG Xiao-cong(School of Mechanical Engineering & Automation,Beihang University,Beijing 100191,China)
出处 《真空》 CAS 2018年第4期51-58,共8页 Vacuum
基金 武器装备预研领域基金(61409230602)
关键词 原子层沉积技术 前驱体 技术特征 等离子体增强原子层沉积 电化学原子层沉积 空间原子层沉积 流化床 大气压原子层沉积 atomic layer deposition technology (ALD) precursor technical characteristics PE-ALD EC-ALD SALD fluidized bed reactor AP-ALD
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献128

  • 1申灿,刘雄英,黄光周.原子层沉积技术及其在半导体中的应用[J].真空,2006,43(4):1-6. 被引量:12
  • 2[1]George S M,Ott A W.Surface Chemistry for Atomic Layer Growth.Journal Physical Chemistry,1996,100:13121 ~ 13131
  • 3[2]Ritala M,Leskel? M,Dekker J-P et al.Perfectly Conformal TiN and Al2O3 Films Deposited by Atomic Layer Deposition.Chemical Vapor Deposition,1999,5(1):7 ~ 9
  • 4[3]Demmin J C.The Search Continues for High-k Gate Dielectrics.Solid State Technology,2001,44(2):68 ~ 72
  • 5[4]http://public.itrs.net/
  • 6[5]Ofer Sneh,Clark-Phelps Robert B,Londergan Ana R et al.Thin Film Atomic Layer Deposition Equipment for Semiconductor Processing.Thin Solid Films,2002,402:248~ 261
  • 7[6]Leskel(a) M,Ritala M.ALD Precursor Chemistry:Evolution and Future Challenges.Journal de Physique Ⅳ,1999,9(8):837 ~852
  • 8[7]Ritala M,Kukli K,Rahtu A et al.Atomic Layer Deposition of Oxide Thin Films with Metal Alkoxides as Oxygen Sources.Science,2000,288(4):319 ~ 321
  • 9[8]Seidel Tom,Londergan Ana,Winkler Jerald et al.Progress and Opportunities in Atomic Layer Deposition.Solid State Technology,2003,46(5):67 ~ 71
  • 10[9]Riihel(a) D,Ritala M,Matero R et al.Introducing Atomic Layer Epitaxy for the Deposition of Optical Thin Films.Thin Solid Film,1996,289:250 ~ 255

共引文献35

同被引文献43

引证文献5

二级引证文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部