摘要
针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%.
A three-stage 5 W Ka-band monolithic-microwave integrated-circuit(MMIC) power amplifier in 0.15 μm GaN was presented for millimeter-wave high power applications. The power amplifier operates at the frequency of 27-31 GHz in class AB mode. The power amplifier achieves a small gain of 25 dB, saturated output power of 38 d Bm and PAE of 35% in 20 V supply voltage.
作者
蔡昊成
毛陆虹
丛佳
Cai Haocheng;Mao Luhong;Cong Jia(School of Electrical and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China)
出处
《南开大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期61-64,共4页
Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis
