大功率GaN基LED芯片及其制备研究

本研究针对110Gan交流高压芯片进行设计,阐述具体工艺并通过近场光型与I-U-L曲线表明,该芯片光电性能较好,同时通过两并两串将其在陶瓷支架中封装,利用限流电阻组件灯具,比较灯具的稳态和初态参数。